삼성전자·하이닉스, 50나노급 D램시장도 선도

세계 1~2위 D램 제조사인 삼성전자와 하이닉스반도체가 나란히 50나노미터급 공정으로 생산한 D램에 대해 세계적인 중앙처리장치(CPU) 개발·생산업체 인텔로부터 인증을 얻었다.

하이닉스는 54나노 공정으로 생산한 1기가비트(Gb) DDR2 D램에 대해 최근 인텔의 인증을 얻었다고 23일 밝혔다.

이에 앞서 지난 2006년 10월 세계 최초로 50나노급 1Gb D램 개발에 성공한 삼성전자는 지난 7월 업계에서 처음 관련 공정 기반 제품에 대해 인텔의 인증을 획득했다.

삼성전자와 하이닉스가 인텔의 인증을 얻은 것은 50나노급 공정으로 제작한 D램 제품을 상용 제품에 써도 적합하다는 평가를 받았다는 의미. 그만큼 50나노급 D램 공정기술의 완성도가 높다는 것을 증명한 것이다.

50나노급 D램 제조공정 기술은 80나노급 대비 2배, 60나노급 대비 50% 이상 생산성을 높여 원가 경쟁력을 강화할 수 있도록 해준다.

삼성전자는 오는 2008년 상반기부터 51나노 공정을 적용해 DDR2 및 DDR3 D램과 그래픽·모바일 D램을 생산할 계획이다. 이어 하이닉스도 2008년 하반기부터 54나노 공정으로 D램 제품들을 양산한다는 방침.

삼성전자와 하이닉스는 올 상반기부터 60나노급 공정을 도입해 D램 제품들을 생산하고 있다. 두 회사는 연말 무렵 60나노급 공정 기반 D램 제품의 비중을 전체의 50% 이상으로 끌어올린다는 계획이다.

현재 해외 경쟁사에선 70~80나노 공정으로 D램을 양산하고 있어, 국내 D램 제조사들의 경쟁력은 더욱 개선될 전망이다.

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