한국기업, '반도체 최강'위해 뭉친다

메모리반도체 1위인 한국 기업들이 종합반도체 최강으로 거듭나기 위해 연합전선을 구축했다.

정부와 반도체 대·중소기업들은 업계 기술 표준화 협력 및 시스템반도체 육성 등을 위해 '반도체통합협회'를 출범시켰다.

25일 권오현 삼성전자 반도체총괄 사장, 김종갑 하이닉스 사장, 오영환 동부하이텍 사장, 황기수 코아로직 사장 등 업계 대표는 이윤호 지식경제부 장관 등이 참석한 가운데 '반도체산업 기술협력 협약' 및 '반도체협회 통합 양해각서(MOU)를 체결했다.

이번 MOU로 메모리반도체 1~2위 기업인 삼성전자와 하이닉스는 ▲신 메모리 공동 연구개발(R&D) ▲반도체산업 표준화 ▲장비·재료 국산화 확대를 핵심으로 하는 '반도체 3대 기술협력'을 추진키로 합의했다.

이와 함께 반도체 업계는 대기업-대기업 간 공동 R&D, 대기업-중소기업 간 기술 지원 및 장비·소재 국산화 등 '포괄적 기술협력' 전략도 추진한다.

아울러 지경부와 반도체 업계는 차세대 반도체 제품, 장비·재료 시장 선점 및 국내 생산라인 효율성 증대를 위한 업계 공동의 표준화 전략을 실시키로 했다.

업계는 오는 2012년 450㎜ 웨이퍼로 규격 전환에 대비해, 국제표준 선점 및 신규 장비·재료 시장 주도권을 확보한다는 방침이다.

지경부는 오는 8월 중 산·학·관 공동의 '표준화 협의체'를 구성하고, 장비·재료·제품 3개 분야별 워킹그룹을 중심으로 국내 및 국제표준 활동을 병행할 계획이다. 이를 위해 JEDEC(제품, 미국), SEMATECH(장비, 미국), SEMI(재료, 미국) 등 국제 표준화 기구와 협력을 강화한다.

삼성전자와 하이닉스는 테라비트(Tb)급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 오는 9월 개시한다. 국내 업계는 미국 샌디스크 및 램버스, 일본 도시바 등에 매년 수억달러 규모의 특허료를 지불할 정도로 반도체 원천기술 면에서 경쟁력이 낮은 상태다.

두 회사는 오는 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 차세대 메모리 'STT-M램'을 중점 개발하게 된다. 이를 기반으로 향후 원천기술 선점 시 매년 5억달러 이상 로열티 발생이 기대되고 있다.

동부하이텍을 포함해 반도체 대기업 3사는 지난 2007년부터 추진해 온 국내 '장비·재료 성능평가' 지원사업을 2008년 하반기부터 질적으로 확대 추진한다.

오는 7월부터 개시하는 33개 국산 장비·재료에 대한 성능 평가 및 공동 인증, 구매 검토 과정에서 맞춤형 기술지도를 강화함으로써, 자생력 있는 수출형 중소기업 육성에 나선다는 방침이다.

특히 삼성전자와 하이닉스는 올해부터 반도체 장비·재료의 실질적인 국산화율 향상을 위한 자체 '국산화 전략'을 병행 추진함으로써, 오는 2009년까지 6천463억원 규모의 국산 장비·재료를 추가 구매할 것으로 기대되고 있다.

반도체 업계는 이번에 반도체협회와 IT-SoC협회를 통합함으로써 전체 반도체시장의 80%에 달하는 시스템반도체 산업의 발전방안을 공동으로 모색키로 했다. 지경부는 오는 2015년 시스템반도체 시장점유율 10% 달성을 목표로, 시스템반도체 발전을 위한 4대 전략, 13개 추진과제를 업계 공동으로 설정했다.

4대 전략은 ▲6개 성장 유망 시스템 분야에 대한 핵심 기술 개발 ▲완성시스템-반도체-설계-위탁생산 등 관련 업계 간 네트워크 및 시스템반도체 클러스터 조성 ▲고급 설계인력 양성 ▲미국 등 기술 선도국과 국제 기술협력 강화 등을 골자로 한다.

이날 행사에 앞서 반도체 업계는 한국반도체산업협회 임시총회를 열어, 신임 회장으로 삼성전자 권 사장을 선출했다.

반도체산업협회는 기존 IT-SoC협회 통합으로 144개 반도체 설계업체가 회원사로 추가되면서 반도체산업 통합협회로 탈바꿈하게 됐다. 또 협회 통합에 따라 '팹리스 운영위원회'를 신설함으로써, 향후 반도체산업협회가 시스템반도체 산업 지원의 플랫폼이 될 수 있도록 했다.

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