세계 메모리반도체 반도체 1~2위 기업인 삼성전자와 하이닉스반도체가 지난 1990년대 이후 처음 공동 연구개발(R&D)에 나선다.
두 회사는 비휘발성메모리 분야 정부 R&D 성과물 중 8건의 원천특허를 구매해 차세대 메모리반도체의 공동 개발에 나선다. 이로써 지난 1990년대 64메가비트(Mb) D램 개발 이후 치열한 경쟁으로 사라졌던 두 회사 간 공동개발 체제가 다시 부활하게 됐다.
삼성전자와 하이닉스는 24일 한양대학교 종합기술원에서 정부 특허이전 및 공동 R&D 협약식을 열었다.
◆Po램 특허 등 8건 구매…차세대메모리 원천기술 확보 발판
삼성전자와 하이닉스는 산자부가 추진한 '차세대 테라비트급 비휘발성메모리사업' 1단계 프로그램에서 발생한 특허 8건을 구매해, 차세대메모리 소자·재료 분야의 원천기술 확보를 위한 발판을 마련했다.
이번 특허는 폴리머메모리(Po램) 관련 4건을 포함해 저항변화메모리(Re램) 등 차세대메모리 관련 특허들로 구성돼 있다. 각 특허는 한양대(5건)와 한국과학기술연구원(KIST)이 취득했다.
이번 특허 매매로 정부 차원에서도 R&D 성과물이 상당수 사장되는 문제점을 일부 해소하게 됐다.
산자부는 기술 이전에 따른 수입 및 기술료를 R&D 사업에 재투자함으로써, 시장친화적 국가 R&D 관리시스템의 사례가 될 것으로 기대하고 있다.
◆삼성전자-하이닉스, 차세대메모리 원천기술 공동개발
삼성전자와 하이닉스는 오는 2011년부터 시장이 형성될 것으로 보이는 차세대 메모리반도체 원천기술 확보를 위해 공동 R&D를 추진한다. 주요 개발모델은 D램·플래시메모리의 미세화 한계로 개발 중인 새로운 메모리 중 유력한 대안인 수직자기형 비휘발성메모리(STT-M램)다.
두 회사는 2년 동안 90억원의 현금 및 현물을 투입해 주기적으로 기술을 교류하고, 연구성과를 교차 평가하게 된다.
삼성전자와 하이닉스는 이 외에 자체적으로 상변화메모리(P램), 마그네틱램(M램), 제로램(Z램) 등 차세대 메모리반도체를 개발하고 있으며, 조만간 상용화할 제품으로 P램에 집중하고 있다.
◆세계업계 메모리 원천기술 싸움 격화
국내 업체들이 세계 메모리반도체 분야에서 수위를 차지하고 있지만, 원천기술 면에선 여전히 기술경쟁이 치열하게 전개되고 있다.
우리나라는 지난 1993년 이후 세계 최고 공정기술을 바탕으로 메모리반도체 분야를 석권했다. 하지만 핵심 소자구조 등 원천기술은 여전히 해외에 의존하고 있는 실정이다. 국내 업체들은 D램 부문에서 인텔에, 낸드플래시메모리 부문에선 도시바에 매년 수억달러의 특허사용료를 지불하고 있다.
일본은 차세대메모리 원천기술 조기 개발로 메모리반도체 정상탈환을 노리고 있다. 이를 위해 STT-M램 개발에도 2006~2010년 30억엔을 투입하고 있으며 도시바와 NEC, 후지쯔가 공동 개발에 나서고 있다.
이번에 삼성전자와 하이닉스가 연합전선을 형성하면서 향후 차세대 메모리시장을 둘러싼 한·일 기업 간 경쟁은 한층 심화될 전망이다.
산자부 김용근 차관보는 "기술의 높이는 시장의 폭을 좌우하고, 원천기술의 깊이는 시장의 흐름을 지배한다"며 "향후 우리 반도체 업계와 학계가 차세대메모리 분야에서 더욱 협력해주길 바란다"고 당부했다.
권해주기자 postman@inews24.com
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