차세대 DDR3 D램 시대 앞당겨진다

현재 PC의 메인 메모리로 쓰이는 D램보다 속도가 2배 가량 빠르면서도 소비전력은 20% 정도 낮은 DDR3 D램이 시장의 주력으로 빠르게 자리잡을 전망이다.

세계 D램 시장을 주도하는 국내 삼성전자, 하이닉스반도체가 DDR3 D램 생산을 확대하고 있는데다, 가격 차이도 빠르게 축소되고 있는 것으로 파악된다.

12일 대만의 메모리반도체 거래업체 D램익스체인지에 따르면 세대별 주요제품인 1기가비트(Gb) 667메가헤르츠(MHz) DDR2 D램과 같은 용량의 1천66MHz DDR3 D램의 가격차가 최근 크게 축소된 것으로 나타났다.

대량거래에 적용되는 고정거래가격을 기준으로 DDR3 D램은 지난 1~2월 DDR2 D램보다 10~20% 높은 가격에 거래됐다. 그러나 3~4월에는 두 제품이 거의 같은 0.88달러에 거래된 것으로 집계됐다. 이달 들어 D램 가격이 반등세를 보이고 있는 가운데 두 제품의 가격차는 약 10% 정도로 다시 벌어진 상태.

업계에 따르면 D램익스체인지의 집계는 전반적인 시장의 대량거래 가격을 대변하진 못하지만, 최근 DDR3 D램 가격이 적잖이 떨어진 건 확실한 것으로 나타났다.

D램 업계 관계자는 "DDR3 D램의 가격프리미엄이 최근 상당히 떨어졌다"며 "2분기 서버를 중심으로 DDR3 제품의 탑재가 본격화될 것"이라고 밝혔다.

DDR3 D램의 평균속도는 1천66MHz로 DDR2 D램보다 2배 가량 높다. 보통 1.8V를 소비하는 DDR2 D램보다 소비전력 역시 1.5V로 낮다. 선두권 D램 업체들은 소비전력이 1.35V로 낮고, 성능은 2천133MHz로 높은 고성능 DDR3 D램 역시 개발·판매하고 있다.

PC 메모리 시장이 DDR2에서 DDR3로 전환되면서 삼성전자, 하이닉스의 지배력은 더 강화될 전망이다. 두 회사는 현재 50나노미터급 첨단 공정기술로 1~2Gb DDR3 D램을 본격 생산하고 있다. 삼성전자와 하이닉스는 오는 3분기부터 나란히 40나노급 공정을 도입해 DDR3 D램을 양산할 계획이다.

해외 경쟁업체 중에선 미국 마이크론테크놀로지, 일본 엘피다 메모리만이 DDR3 D램 시장에 대응하고 있다. 그러나 마이크론은 DDR3 D램 생산에 60나노급 공정을 적용하고 있고, 엘피다는 제품군이 국내 기업들보다 뒤지는 상태다. 삼성전자와 하이닉스가 40나노급 공정으로 DDR3 D램을 만들면, 50나노급 공정으로 생산할 때보다 물량을 50% 이상 늘릴 수 있다.

삼성전자는 올해 전체 D램 매출 가운데 DDR3 D램의 비중을 50%까지 높인다는 계획과 함께 제품 생산에 나서고 있다. 하이닉스 역시 오는 4분기 범용 D램 가운데 DDR3 제품 비중이 50%에 이를 것으로 예상하며, 시장 수요에 적극 대응하고 있다. 이에 따라 연내 D램 시장의 주요제품은 DDR2에서 DDR3로 '세대교체'가 일어날 전망이다.

하이닉스 이손석 마케팅전략담당 상무는 최근 기업설명회(IR)에서 "PC 제조사들이 DDR3 D램에 대해 적극적으로 얘기하고 있다"며 "하반기엔 DDR3 D램만 지원하는 인텔의 노트북용 플랫폼('칼펠라') 등이 확산되면서, 고성능 D램 수요가 본격화될 전망"이라고 밝혔다.