삼성전자, 50나노급 1Gb DDR2 인텔인증 얻어

삼성전자는 지난해 10월 세계 최초로 개발한 50나노급 1기가비트(Gb) DDR2 D램에 대해 중앙처리장치(CPU) 제조업체 인텔의 인증을 얻었다고 19일 발표했다.

이는 DDR2 제품 중 가장 빠른 초당 800메가비트(Mb)의 데이터 처리 제품에 대해 양산을 할 수 있는 수준의 능력을 확보했다는 점을 공인받아, 제품 공급에 나설 수 있게 됐다는데 의미가 있다.

삼성전자는 지난 3월부터 업계 최초로 60나노급 1Gb DDR2 D램을 양산하기 시작해 70~80나노급 제품을 생산하고 있는 업계 수준에 비해 상대적으로 앞서고 있다. 이번에 50나노급 D램에 대해서도 인증을 얻음으로써, 차세대 D램 기술의 우위를 자랑하게 됐다.

삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산공정인 80나노급 대비 2배, 60나노급 1Gb DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성을 높일 수 있다.

올해 하반기 D램 시장은 마이크로소프트의 운영체제 윈도비스타가 일반 사용자용 PC뿐만 아니라 기업용 PC까지 본격 채용되면서, 메인메모리 용량의 증가와 고성능화가 가속화 될 것으로 전망된다.

또 주력 제품이 512Mb에서 1Gb로 급격히 전환되는 것은 물론, 차세대 제품인 DDR3 D램 채용시스템이 시장에 선보이면서 D램 시장에 적잖은 변화가 있을 것으로 예상된다.

삼성전자는 이번 50나노급 D램을 내년 상반기 양산할 예정이다. 또 50나노급 기술을 DDR2뿐만 아니라 DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용할 계획이다.