4기가비트 D램시대 열렸다

D램 단품 용량이 기존보다 2배 많은 4기가비트(Gb)까지 확대되면서 낮은 소비전력 및 비용절감을 꾀할 수 있는 시대가 열리게 됐다.

삼성전자는 29일 50나노미터급 공정을 적용해 업계 최대인 4Gb 용량의 DDR3 D램을 세계 최초로 개발했다고 발표했다.

4Gb DDR3 D램은 50나노급 공정 및 저전력 설계기술로 1.35V에서 최대 초당 1.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리속도를 구현한다. 1.5V에서 동작하는 기존 DDR3 D램보다 성능이 약 20% 향상됐다.

새 제품을 활용하면 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 적합한 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다.

16GB D램 모듈을 제작할 때 1Gb D램은 단품 144개를 탑재하지만, 2Gb D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있다. 4Gb D램은 36개만으로 16GB 용량을 구현하기 때문에 2Gb D램 대비 40% 이상 전력을 낮출 수 있다.

이번에 개발된 제품은 1.35V에서 동작해 1.5V DDR3 D램에 비해 전력 소비를 20% 이상 더 절감할 수 있다. 새로운 4Gb D램을 탑재할 경우 1Gb D램 대비 70%까지 소비전력을 줄일 수 있게 되는 것.

새 제품은 서버용 16기가바이트(GB) RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module), 워크스테이션·데스크톱PC용 8GB UDIMM(Unbuffered DIMM), 노트북용 8GB SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module) 등 대용량 모듈 개발에 적용될 예정이다. 패키지 적층기술(DDP, Double Die Package)을 적용하면 32GB 모듈 개발도 가능하다.

삼성전자는 지난 1992년 세계 최초로 64메가비트(Mb) D램을 개발하면서 D램 시장 정상에 올랐다. 이후 256Mb, 1Gb, 2Gb D램을 차례로 가장 먼저 개발하면서 기술 주도권을 지켜왔다.

지난 2007년 60나노급 공정의 2Gb DDR2 D램을 개발한데 이어, 지난해 9월 50나노급 공정 2Gb DDR3 D램을 역시 세계 최초로 개발했다.

시장조사기관 IDC는 세계 DDR3 D램이 비트(Bit) 기준 전체 D램 시장에서 올해 29%, 오는 2011년 75%를 각각 차지할 것으로 예상하고 있다. DDR3 D램 중 2Gb 이상의 비중도 올해 3%, 오는 2011년 33%로 높아질 전망이다.