'삼성전자 V-낸드 투자, 수혜업체는?' 교보證

[이혜경기자] 교보증권은 26일 삼성전자의 V-낸드(3차원 적층) 투자 관련 수혜주로 삼성전자, 원익IPS, 국제엘렉트릭 등을 꼽았다.

삼성전자는 현재 중국 시안 공장에 신규 공정기술인 V-낸드(NAND)용 팹을 건설하고 있다.

최도연 교보증권 애널리스트는 "V-낸드는 현재의 2D(2차원) 낸드 구조를 대체할 유력한 차세대 공정"이라며 "삼성전자를 필두로 낸드 업체들이 오는 2014년부터 V-낸드 공정이 적용된 제품을 본격 출하할 전망"이라고 설명했다.

그는 삼성전자 중국 시안 공장에 올해 말부터 장비 입고가 개시될 것으로 내다봤다. 삼성전자의 시안 팹 규모는 월 10만개 생산이 가능한 규모로 파악했다. 이 경우 올해 말 선제적으로 진행되는 설비는 월 4만개 생산이 예상된다며, 이 정도 V-낸드 공정 흐름에 적합한 반도체 장비, 소재업체의 수혜를 기대했다.

최 애널리스트는 "중요한 점은 V-낸드는 동일 웨이퍼 캐파에서 bit을 위(z축)로 증착시키는 구조이기 때문에, V-낸드의 캐파 규모는 수치상 동일한 2-D 낸드의 캐파 규모보다 월등히 많은 장비수가 필요하다"고 지적했다.

또한, V-낸드의 적층 단수가 증가할수록, 동일 웨이퍼 캐파에서 증착 공정 숫자는 직선적으로 증가하기 때문에 증착 장비업체의 수혜 폭은 더욱 커질 것으로 분석했다.

따라서 낸드 원가 개선이 가능한 삼성전자를 비롯해, 반도체 장비업체 중에는 원익IPS(PECVD 관련 증착업체), 테스(ACL 증착장비업체), 국제엘렉트릭(ALD·Diffusion 장비업체) 등이 수혜주가 될 것으로 진단했다.