하이닉스, 세계 최고속·최소형 모바일 D램 개발

하이닉스반도체(대표 우의제)는 4일 세계 최고속, 최소형의 512Mb 모바일 D램 개발에 성공했다고 발표했다.

모바일 D램이란 주로 휴대폰에 탑재되는 메모리로, 휴대폰의 배터리 수명을 감안해 저전력으로 설계되는 것이 특징이다.

이번에 하이닉스가 개발한 모바일 D램은 JEDEC 표준 규격에 따라 세계 최고속인 200MHz의 속도로 동작하며 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 1.6GB를 처리한다.

기존 모바일 D램 제품보다 약 1.5배 가량 속도가 빨라졌다는 것이 회사측 설명.

속도는 높였지만 크기는 100원짜리 동전의 1/8 수준(8mm×10mm)으로 업계에서 가장 작은 크기를 유지했다. 초박형 사이즈로 소형화된 모바일 기기 시장에서 더욱 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 회사 측은 기대 중.

하이닉스는 낸드플래시와 D램을 하나의 칩으로 만든 MCP(Multi Chip Package)에도 이번 제품을 적용할 예정. 이럴 경우 부피는 더욱 작아져 슬림화 된 휴대폰을 만드는 데 유리하다.

하이닉스반도체 측은 "주요 모바일 칩셋 업체를 통한 세계 최초 인증이 마무리 단계에 돌입했으며, 현재 긍정적인 반응을 얻고 있다" 고 밝히며, 이번 제품 인증과 함께 향후 JEDEC 표준 규격을 선도해 나갈 수 있을 것으로 기대하고 있다.

하이닉스반도체는 향후에도 초고속, 저전력, 대용량의 성능을 요구하는 모바일 D램 시장의 다양한 요구에 적극 부응해 모바일 제품의 개발과 판매를 강화할 예정이다.