삼성전자 "맞춤형 HBM으로 AI 시대 열 것…차세대 전담팀 구성"

[아이뉴스24 김종성 기자] 삼성전자가 인공지능(AI) 시대에 증가하는 맞춤형 고대역폭메모리(HBM) 수요에 적극 대응하겠다는 계획을 밝혔다.

삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 18일 뉴스룸을 통해 HBM3E 12H(12단 적층) 기획·개발을 맡았던 김경륜 상품기획실 상무와 윤재윤 D램개발실 상무의 인터뷰를 공개했다.

김 상무는 "초기 HBM 시장에서는 하드웨어의 범용성이 중요했지만, 미래에는 킬러 앱을 중심으로 서비스가 성숙하면서 하드웨어 인프라가 서비스별로 최적화되는 과정을 필연적으로 겪을 것"이라고 전망했다. 이어 "데이터를 저장하는 코어 다이(core die)는 단일화하고, 패키지와 베이스 다이 다변화를 통해 대응할 예정"이라고 덧붙였다.

그는 "공동 최적화의 필요성으로 인해 맞춤화 요구가 커질 것"이라며 "플랫폼화를 통해 공용 설계 부분을 극대화하고, 생태계 파트너 확대로 효율적으로 맞춤화 요구에 대응할 수 있는 체계를 만들 것"이라고 밝혔다.

또 "프로세서와 메모리 업체가 제품을 개별적으로 최적화해서는 범용 인공지능(AGI) 시대가 요구하는 미래의 혁신을 만들어 내기 어렵다는 업계의 공감대가 있다"며 "맞춤형 HBM은 AGI 시대를 여는 교두보"라고 강조했다.

김 상무는 "삼성전자는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 어드밴스드 패키징(AVP) 등 종합 역량을 십분 발휘해 대응해 나갈 것이며 차세대 HBM 전담팀도 구성했다"며 "이는 업계에서 단시간에 따라올 수 없는 역량으로 효과가 클 것"이라고 말했다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 HBM3E 12H D램 개발에 성공했다.

윤 상무는 "속도와 용량 측면에서 세계 최고 사양을 갖춘 제품"이라며 "HBM의 열 관리가 중요한데 '첨단 열압착 비전도성 접착 필름'(TC-NCF) 기술은 열 방출 측면에서 독보적인 경쟁력을 갖췄다"고 소개했다. 이어 "HBM의 열 저항은 칩 간격의 영향을 주로 받는데, 칩 사이에 적용되는 NCF 소재의 두께를 낮추고 열압착 기술을 통해 칩 간격을 줄이는 동시에 고단 적층에서의 칩 제어 기술을 고도화했다"고 설명했다.

김 상무는 "36GB HBM3E 12H D램은 현재 시장의 주요 제품인 16GB HBM3 8H 대비 2.25배 큰 용량의 제품으로, 상용화되면 빠른 속도로 주류 시장을 대체해 나갈 것"이라고 기대감을 드러냈다. 이어 "기존보다 더 적은 수의 AI 서버로도 동일한 초거대 언어 모델(LLM)을 서비스할 수 있어 총소유비용(TCO)이 절감되는 효과가 있다"며 "이 때문에 고객의 기대는 매우 높다"고 말했다.