삼성전자 "올해 HBM 설비투자 2.5배↑…수요 확대 대비"

[아이뉴스24 김종성 기자] 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 매모리 반도체에 대한 과감한 투자를 예고했다. 생성형 인공지능(AI) 시대에 파운드리와 메모리 융합을 통해 시정을 선도한다는 목표다.

한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄 부사장은 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열리는 'CES 2024'에서 "올해 HBM의 설비투자(CAPAX)를 2.5배 이상으로 늘리고, 내년도 그 정도 수준을 유지할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 한 부사장은 AI 반도체의 중요성을 강조하며 HBM에 대해 "이제 본격적으로 성장하는 시기"라며 "HMB 수주가 계속 뜨면서 결국 2~3년 뒤엔 수요가 공급을 추월할 것"이라고 전망했다.

그는 "경계현 대표이사 사장의 철학은 시장의 높고 낮음에 따라서 캐팩스를 변화하는 과거의 형태는 맞지 않다는 것이어서 작년 어려운 시황에도 캐팩스를 상당히 높게 유지했다"며 "선단 공정 전환 가속화를 통해 미국 서버 시장 점유율 50% 이상 하겠다는 내부적인 목표가 있다"고 밝혔다.

한 부사장은 삼성전자가 파운드리와 메모리 융합 시너지 효과에 대한 기대감도 내비쳤다. 그는 "2~3년 뒤 삼성전자가 고성능 컴퓨팅(HPC), 생성형 AI 시대에 파운드리와 메모리의 융합을 통한 강자가 될 것이라 자신한다"고 강조했다. 이어 "AI 서버 고객들이 기존 메모리 설계와 파운드리 로직 공정을 적용하는 등 HBM의 커스터마이즈(맞춤형) 솔루션에 대한 언급을 시작했다"며 "삼성전자는 메모리, 파운드리를 동시에 갖고 있는 세계 유일의 반도체 회사로, 꿈에 그리던 시너지가 나올 것으로 기대한다"고 말했다.

한 부사장은 "HBM뿐 아니라 고객들과 저전력 D램(LPDDR), 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 등에 대한 초기 논의를 하고 있다"며 "여러 가지 형태의 아이디어들이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것으로 보여 솔루션 적기 개발을 통해 패러다임 변화를 주도하겠다"고 강조했다.

삼성전자는 이번 'CES 2024'에서 AI 시대를 선도해 나갈 차세대 반도체 제품을 대거 선보였다. 삼성전자는 미국 라스베이거스 앙코르 호텔(Encore at Wynn Las Vegas) 내 전시 공간에 가상 반도체 팹(Virtual FAB)을 설치했다. △서버 △PC·그래픽 △모바일 △오토모티브 △라이프스타일 등 5개 주요 응용처별 솔루션 공간을 밀도 있게 구성했다. 삼성전자가 국내외 미디어에 디바이스솔루션(DS) 부문 전시관을 공개하는 것은 이번이 처음이다.

생성형 AI의 등장으로 수요가 급증하고 있는 △12나노급 32기가비트(Gb) DDR5(Double Data Rate) D램 △HBM3E D램 샤인볼트(Shinebolt) △CXL 메모리 모듈 제품 'CMM-D' 등 차세대 제품을 전시했다. 또 삼성전자의 반도체의 경쟁력을 한 자리에서 체험할 수 있게 온디바이스 AI용 D램, 차세대 스토리지용 낸드플래시 솔루션, 2.5·3차원 패키지 등 차세대 기술 경쟁력 선보였다.