SK하이닉스, 고성능 메모리 수요폭발…설비투자 늘린다(종합)

[아이뉴스24 김문기기자] SK하이닉스가 사상 최대 실적을 달성했다. D램과 낸드플래시의 수요 대비 공급 부족 현상이 계속됨에 따라 설비투자 및 기술 고도화에 집중할 계획이다. 고용량 및 고성능 제품의 적기 출시를 위함이다.

SK하이닉스(대표 박성욱)는 K-IFRS 기준 올 3분기 매출 8조1천1억원, 영업이익 3조7천372억원을 기록했다고 26일 밝혔다. 순이익은 3조555억원이다. 매출과 영업이익은 전 분기 대비 각각 21%와 23% 대폭 증가했다.

◆ 메모리 수요 대비 공급량 부족 현상 지속

D램은 모바일 제품의 계절적 수요 증가와 서버의 수요 강세가 지속되면서 출하량과 평균판매가격은 각각 전 분기 대비 17%, 6% 상승했다. 낸드플래시는 스마트폰 신제품 출시 등의 영향으로 출하량은 전 분기 대비 16% 증가한 반면 평균판매가격은 고용량 모바일 제품 판매 비중 증가에 따라 전 분기 대비 3% 하락했다.

이석희 SK하이닉스 사업총괄 겸 경영지원총괄 사장은 "3분기 D램 시장은 계절적 성수기를 맞아 공급량 증가에도 불구하고 서버향 강한 수요 증가와, 스마트폰 신제품 출시에 따라 모바일 수요도 회복되면서 공급 부족이 계속됐다. 상반기 동안 재고 조정 등으로 수익이 둔화됐던 MCP는 D램 4GB, 낸드 32GB 이상 고용량 제품 수가 증가했다"고 말했다.

4분기 전망과 관련해서는 "4분기에도 클라우드 서비스가 확산되고 인공지능, 머신러닝을 위해 인터넷 데이터센터 업체들의 지속적 투자가 이어지면서 데이터센터용 서버 D램 수요가 강하다. 급증하는 위크로드를 소화하기 위해 64GB 이상 고용량 메모리 수요도 증가할 것"이라며, "모바일 D램 수요는 신제품 출시가 지속되는 가운데 중국 빌드 수요가 겹치면서 견조한 수익이 예상된다. 스마트폰의 혁신을 위해 AI 기능과 새로운 센서 기술이 적용되면서 수행에 필요한 D램 채용량도 늘어난다"고 전망했다.

SK하이닉스는 서버 D램 수요로 인해 올해 당초 예상했던 20%초반의 수요 증가율을 20%중반으로 상향했다. 여러 업체의 공급 노력에도 불구하고 공급 부족 상황이 계속될 것으로 보인다. 내년 전체 D램의 빗그로스는 20% 수준으로 예상했다. 내년 서버용 D램의 빗그로스는 30% 수준으로, 모바일 빗그로스는 20% 중반으로 추정했다. 낸드 모바일 시장은 30% 대의 콘텐츠그로스가 지속될 것으로 예상됐다.

수요 대비 공급 부족 상황과 관련해 이 사장은 "D램의 공정전환 난이도가 높고, 투입되는 장비도 증가한다. 생산에 걸리는 시간도 늘어난다. 생산성이 과거에 비해 크게 둔화됐다"며, "수요 증가 충족을 위해 일정 수준의 웨이퍼 생산능력이 필요하고, 클린룸의 제한과 단위당 투자비용도 크기 때문에 당분간 공급량을 늘리기 어렵다"고 지목했다.

◆ 설비투자 4분기 집중, 공정전환에도 힘쓴다

SK하이닉스는 공정전환의 어려움을 설비투자 및 증설을 통해 헤쳐 나가고 있다.

SK하이닉스는 "약 9조6천억원 이상의 CAPEX(설비투자) 상승이 불가피하다. 4분기에 많은 증가가 있을 것으로 예상한다"고 말했다. 당초 SK하이닉스의 캐팩스는 7조원이 계획돼 있었지만 더 늘었다.

경기도 이천 M14 2층은 페이스1 50%가 완성됐다. 이 곳에서는 낸드가 생산되고 있다. 현재 48단 3D 낸드플래시가 양산 중이다. 나머지 50%에 대한 공사가 진행 중이다.

SK하이닉스는 "나머지 50%는 12월 공사 완료되면 장비 입고가 가능할 것으로 예상된다"며, "(남은 절반공간의) 사용방안은 2층이 주로 낸드로 사용되지만 일부 공간에 대해서는 D램의 테크 마이그레이션에 필요한 장비 입고를 위해서 당분간 사용할 것으로 예상된다"고 설명했다.

이어, "아무리 늦어도 4분기 중반까지는 M14 2층 장비 셋업은 완전히 완료될 것"이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 청주와 중국 우시에 신공장을 설립한다. 오는 2019년 이천 M14가 포화됨에 따른 계획이다. 당초 2019년 상반기 완공하기로 했으나 시일을 당겨 내년 4분기 완공을 목표로 하고 있다.

SK하이닉스는 "청주팹은 이천에 있는 M14와 같이 복층식으로 설계한다. 우시팹은 현재 공장 옆에 추가로 짓는 것이기 때문에 2배 정도 캐파가 증가한다고 보면 된다"고 말했다.

공정 전환 및 시장 대응력도 키우고 있다. D램의 경우 1x 나노 공정은 올해, 1y 공정 연구개발은 내년 하반기 완료를 목표로 하고 있다. 극자외선노광장비(EUV)는 1y 공정까지는 도입하지 않기로 했다. 10나노급 D램은 4분기부터 양산하고 HBM2 제품의 경우에도 4분기부터 본격 판매를 시작한다.

낸드의 경우 4분기부터 72단 양산을 시작한다. 엔터프라이즈용 SSD의 경우 72단 계획에 맞춰 연내 개발 완료하고 내년부터 샘플을 공급할 계획이다.

이 사장은 "낸드는 3분기 48단 양산을 본격화했으며, 4분기에는 72단 양산을 시작해 고용량을 지원한다. 72단 제품은 기존 256Gb에서 512Gb 개발에도 성공해 곧 양산을 시작한다. 기업용 시장에 본격적으로 진입할 계획"이라고 밝혔다.

낸드플래시 경쟁력을 키우기 위해 각 부품의 내재화의 중요성도 강조했다. SK하이닉스는 "낸드플래시는 펌웨어, 컨트롤러, 낸드를 버티컬 인터그레이션하는 것이다. 이 3가지 모든 부분은 자사가 내재화했다고 밝힌 바 있다"고 말했다.

이어, "펌웨어는 거의 100%, 낸드는 100% 적용하고 있다. 컨트롤러 같은 경우는 제품의 늘어나는 수 대비 저희가 개발할 수 있는 전체적인 캐파 자체가 제한적이다. 지속적으로 외부 컨트롤러 업체들과 협업해 일부 소싱할 계획을 가지고 있다"고 설명했다.

한편, SK하이닉스는 이와 같은 시장 환경 속에서 지속적으로 수요를 견인할 서버와 모바일 중심으로 제품을 운영할 계획이다. 또한 고용량 및 고성능 제품의 적기 출시를 통해 메모리 시장에서의 입지를 강화한다는 계획이다.