키몬다, 트렌치 공법 대체할 D램 신기술 도입

독일의 글로벌 D램 기업 키몬다가 한계기술로 지적되고 있는 트렌치 공법을 대체할 새 D램 기술을 도입한다는 계획을 발표했다고 CNN 등 외신이 27일 보도했다.

키몬다는 '베리드 워드라인(Buried Wordline)'이란 새 공법으로 제조공정 회로를 30나노미터까지 미세화할 수 있다고 주장했다. 또 성능을 높이고 칩 크기를 줄이며, 가격은 낮출 수 있는 기술로 소개하며 트렌치 공법에 대한 우려를 불식시키겠다고 밝혔다.

키몬다는 올해 하반기부터 새로운 D램 기술을 도입해, 우선 65나노 공정으로 시장의 주력제품인 1기가비트(Gb) DDR2 D램을 양산한다는 계획이다. 이어 오는 2009년 하반기엔 46나노까지 도입하겠다는 방침.

키몬다의 킨와 로 최고경영자(CEO)는 "새로운 베리드 워드라인 공법은 비트당 가격경쟁력 제고 등 다양한 이점으로 키몬다의 사업에서 새로운 전환점을 제시할 것"이라고 밝혔다. 또 "다른 업체들과 제휴기회를 모색할 것"이라고 말해, 대만의 난야·이노테라 외 새로운 D램 업체와 손을 잡을 가능성도 제시했다.

키몬다는 새로운 공법으로 전환을 추진해 나가는 과정에서 오는 2009~2010년 1억유로(약 1천400억원)를 투자할 계획이다.

키몬다는 국내 전문가들에 의해 한계기술로 지적된 트렌치 공법으로 70나노급 공정까지 적용해 D램 제품을 양산하고 있는 상태. 새로운 D램 공법에 대해 자세히 소개되지 않은 상태에서 당장 2009년 40나노급 공정까지 이행한다는 목표는 실현 여부를 면밀히 지켜볼 필요가 있는 것으로 파악된다. 최근 키몬다는 대규모 누적적자와 신설공장의 가동 연기, 모회사 인피니언테크놀로지의 지분 감소 등으로 어려움을 겪고 있다.

트렌치와 다른 스택 공법을 도입하고 있는 D램 선두기업 삼성전자와 하이닉스반도체는 올해 50나노급 공정을 도입하며 후발기업들과 기술 격차를 벌릴 계획이다.

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