[박계현기자] 삼성전자가 최신 파운드리 공정 도입에서 경쟁사인 TSMC보다 한발 앞서 나가고 있다는 평가가 나왔다.
20일 시장조사업체 가트너의 1분기 보고서에 따르면, 삼성전자의 28·32나노 공정의 파운드리(수탁생산) 공급가능량은 300mm 웨이퍼 기준 월 22만5천장으로 대만 파운드리 업체인 TSMC의 11만장을 웃돈다.
이에 비해 TSMC는 28·32나노 공정에서 월 11만장 규모를 생산할 수 있으며, 40·45나노 공정에서 월 25만5천장을 생산할 수 있다.
28·32나노급 파운드리 공정은 스마트폰에 탑재되는 모바일 애플리케이션프로세서(AP), 이미지 센서 등 고성능·저전력 시스템반도체에 주로 적용된다.
이에 대해 미국 투자은행 제프리즈는 최근 발표한 보고서를 통해 "삼성전자가 세계 28·32나노 파운드리 공급가능량의 50%를 차지하고 있다"며 "삼성의 메모리 반도체 생산경험이 300mm 웨이퍼로 모바일 AP를 생산하는 파운드리 사업의 물량 증가에 도움을 주고 있다. 이는 TSMC에 앞서 나갈 수 있는 요인"이라고 분석했다.
가트너에 따르면, 삼성전자의 월 단위 300mm 웨이퍼 기준 공급가능량은 메모리사업부 81만5천장, 파운드리 사업 22만5천장으로 총 104만장이다. 반면 TSMC는 파운드리 사업 분야에서 1위를 달리고 있지만 300mm 웨이퍼 공급가능량이 월 36만5천장으로 삼성전자의 약 35% 수준에 불과하다.
이는 한층 더 나아가 업황이나 기술 개발방향에 따라 메모리사업부에서 가동 중인 삼성전자의 300mm 웨이퍼 생산라인이 파운드리 사업으로 전환될 수 있다는 뜻으로 해석할 수 있다.
실제로 삼성전자는 지난해 12월 미국 텍사스주 오스틴에 있는 메모리 생산라인에 39억 달러를 투자해 28나노 공정의 시스템LSI 라인으로 전환하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 오스틴의 시스템반도체 생산라인은 기존 300mm 웨이퍼 기준 월 4만장 규모에서 추가적으로 대폭 늘어날 전망이다.
◆"삼성 파운드리 공급가능량 확보 자신감 보여"
삼성전자는 현재 파운드리 사업에서 주력하고 있는 28·32나노 외에도 40·45나노, 14·20나노 파운드리 생산라인을 향후 수년 내에 가동할 계획이다.
TSMC가 40·45나노 공정에서 25만5천장을 생산하는데 비해 삼성전자는 파운드리 사업에선 40·45나노 공정을 적용하지 않고 있다.
그러나 삼성전자는 지난 15일 임베디드 플래시 공정기술 개발을 발표하면서 이를 파운드리 생산라인에도 도입할 계획이라고 밝혔다. 2014년 하반기부터 45나노 파운드리 공정을 도입해 소비자 가전과 차량용 MCU(Micro Controller Unit) 제품을 생산한다는 계획이다.
삼성은 14나노 공정 도입에도 자신감을 보이고 있다.
삼성전자는 지난 12월 "3차원 입체구조를 적용한 14나노 테스트칩 생산에 성공했다"며 "이 기술을 시스템LSI 부문에서 양산하는 파운드리 사업에 처음으로 적용할 계획"이라고 밝혔다.
제프리즈 측은 "삼성이 시스템LSI 전용 S1(기흥), S2(오스틴) 라인, NRD((New R&D, R&D 전용) 라인, 화성에서 건설 중(2014년 말~2015년 초 완공 예정)인 20·14나노 공정 라인을 앞세워 기존 파운드리 고객사 및 신규고객에 충분한 파운드리 물량을 제공할 수 있을 것으로 자신하고 있다"고 밝혔다.
박계현기자 kopila@inews24.com
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