메모리반도체 미세공정 경쟁 치열…어디까지 가나

삼성전자와 하이닉스반도체 간 메모리 반도체 미세공정 경쟁이 뜨겁다.

6일 업계에 따르면 삼성전자(대표 최지성)는 올해 말까지 30나노급 이하 D램의 비중을 50% 이상으로 높일 방침이다.

또 낸드플래시의 경우 연말까지 20나노급 이하 제품의 비중이 70%를 초과할 것으로 예상하고 있다.

하이닉스반도체(대표 권오철)는 올 1분기 중 30나노급 D램 양산을 시작할 예정이다. 올해 말까지 전체 D램의 40% 이상을 30나노급에서 내놓겠다는 계획이다.

하이닉스는 낸드플래시의 경우 20나노급 제품을 지난해 하반기부터 양산하기 시작했다. 올해 말까지 20나노급 제품의 비중을 70% 이상으로 가져갈 예정이다.

또 올해 말에는 20나노 안팎의 낸드플래시를 출시할 방침이다.

1나노는 10억분의 1m를 나타내는 단위다. 이 단위를 줄일수록 같은 재료에서 더 많은 반도체를 생산할 수 있어 원가경쟁력을 높일 수 있다.

대부분의 해외 메모리 반도체 업체가 60나노급 D램을 생산하고 있다.

하이닉스 권오철사장은 "대만 업체는 거의 다 60나노급 D램을 생산하고 있어 원가경쟁력이 떨어진다"며 "엘피다 역시 40나노급 양산을 의미있게 하지 못하고 있다고 생각한다"고 말했다.

그만큼 미세공정 기술이 앞선 국내 두 업체 간 경쟁은 점점 치열해지고 있다.

권오철 사장은 최근 "올 하반기엔 D램 20나노 후반대 제품을 투입할 예정"이라며 "30나노급 D램 양산은 경쟁사에 비해 좀 늦었지만 20나노급 D램 개발 및 양산 시기는 격차를 줄일 수 있도록 노력하겠다"고 말했다.

30나노급 D램 양산은 삼성전자가 먼저 했지만 20나노급에선 뒤지지 않겠다는 의지다.

이에 대해 삼성전자 권오현 사장 역시 "20나노급 이하 D램이 어느 회사에서 먼저 나오는지 보면 알 것"이라며 선두업체로서의 자신감을 보였다.

업계에선 이와 같은 메모리 반도체 공정 미세화 작업이 어디까지 갈 수 있을지 관심을 보이고 있다.

하이닉스 박성욱 부사장은 "D램은 20나노까지는 가고 10나노 이후는 좀더 많은 연구가 필요하다"며 "그러나 예전에는 30나노가 한계라 했는데 이미 20나노까지 온 걸 보면 확실히 말하긴 어렵다"고 말했다.

이어 "낸드플래시는 20나노까진 계획이 잡혀있고 10나노는 어떤 모양으로 만들지가 문제"라며 "20나노대 초반 D램의 경우 극자외선(EUV) 리소그라피라는 장비가 필요한데 아직 준비가 덜 됐고 경쟁력 있는 EUV를 만드는 데 집중하고 있다"고 덧붙였다.