삼성전자, 해외 첫 300㎜ 반도체라인 가동

삼성전자는 미국 텍사스 오스틴의 반도체 생산단지에 300㎜(12인치) 반도체 라인을 준공하고, 하반기 중 50나노 16기가 낸드플래시메모리를 양산한다고 15일 발표했다.

삼성전자는 14일(현지시간) 오스틴의 반도체 생산단지에서 제2라인 준공식을 열었다. 1년 동안 공사를 거쳐 완공된 제2라인은 지난 97년부터 가동하고 있는 200㎜(8인치) 라인에 이어 삼성전자의 미국 내 두 번째 반도체 생산시설이다. 또 삼성전자의 해외 첫 300㎜ 반도체 생산라인이기도 하다.

삼성전자는 이번 제2라인에 내년까지 총 35억달러를 투자하게 된다. 초기엔 월 2만장 규모에서 점차 생산규모를 확대해 나갈 계획이다. 기존 200㎜ 1라인은 D램 생산에 주력하고, 신규 300㎜ 라인은 50나노급 이하의 낸드플래시 등 차세대 메모리 생산을 강화한다는 방침.

이로써 최근 생산량을 대폭 확대하겠다고 밝힌 세계 낸드플래시 2위 업체 도시바의 추격을 따돌릴 수 있는 기반도 마련했다.

삼성전자는 세계 최대 반도체단지인 한국의 기흥-화성단지는 첨단 반도체 생산 및 연구개발 메카로, 미국 단지는 미주 쪽 공급을 위한 전략생산 거점으로, 중국 쑤저우 단지는 조립·패키지 거점으로 각각 육성할 계획이다.

한편 이날 준공식에는 삼성전자 윤종용 부회장, 황창규 사장 등 주요 경영진과 릭 페리 텍사스 주지사, 윌 윈 오스틴 시장 등 인사가 참석했다.

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