인텔, 세계 최초 65나노 노어 플래시 개발

인텔이 지난해 말 부터 마이크로프로세서에 적용하던 65나노 공정을 노어플래시 메모리에 적용하기 시작했다.

인텔은 5일 세계최초로 65나노미터 공정 기술을 사용한 1 기가비트 노어 멀티 레벨 셀(MLC) 플래시 메모리를 개발했다고 밝혔다.

노어 플래시 메모리는 코드 저장을 위해 핸드폰과 같은 모바일 기기에 주로 사용되는 플래시메모리의 일종.

인텔의 플래시 메모리 그룹의 총괄 책임자인 브라이언 헤리슨 부사장은 "이번 플래시메모리 공급으로 인텔은 핸드폰 시장에 가장 진보된 노어 플래시 메모리를 제공하게 됐다"며 "인텔의 65나노 공정 기술은 사용자들에게 보다 새롭고 향상된 기능을 제공할 수 있는 차세대 핸드폰의 플래시 메모리 성능을 향상시키게 될 것이다"고 말했다.

인텔의 65나노 노어 플래시 메모리 샘플은 2분기 말부터 휴대전화 제조사들에게 공급될 예정이다.