[컨콜] 삼성전자 "메모리 감산 기조 유지…D램 1분기 재고 정상화"

[아이뉴스24 김종성 기자] 삼성전자가 현재의 메모리 감산 기조를 당분간 유지한다고 밝혔다. 메모리 업황이 점진적인 회복세를 이어가는 가운데 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 제품 중심의 수요 확대에 적극 대응한다는 방침이다.

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 4분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "메모리 재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조는 변함없다"며 "4분기 출하량 증가와 생산 하향 조정 영향으로 재고가 빠른 속도로 감소하고 있다"고 밝혔다.

김 부사장은 "그러나 D램과 낸드(NAND) 등 세부 제품별 재고 차이가 있어 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기에도 여전히 선별적 생산 조정을 이어갈 것"이라고 말했다. 이어 "D램 재고는 1분기를 지나며 정상 범위에 도달하고, 낸드는 시점에 차이가 있을 수 있지만 상반기에 정상화할 것으로 전망한다"며 "시장 수요와 재고를 상시 점검해 사업 전략을 유연하게 조정해 나가도록 하겠다"고 덧붙였다.

삼성전자는 지난해 4분기부터 시작된 메모리 시장의 업황 회복세가 지속될 것으로 전망했다. 삼성전자 반도체(DS) 부문의 적자 규모는 지난해 4분기 2조1800억원으로, 전 분기 대비 1조5700억원 감소했다. D램은 흑자전환에 성공했다.

김 부사장은 "1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"며 "생성형 인공지능(AI) 관련 HBM과 서버 SSD 수요에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획"이라고 밝혔다.

그는 "올해 연간 전망은 지정학적 리스크와 금리 인상 등에 따라 변동 폭은 있겠지만, 메모리 업황 회복세는 지속될 것"이라며 "온디바이스 AI 등에 힘입어 메모리 탑재량 성장이 예상되고, 일부 교체 주기도 맞물리면서 세트 출하량 증가에 긍정적인 효과가 예상된다"고 덧붙였다.

삼성전자는 메모리 사업에서 첨단공정 기반의 프리미엄 제품 수요에 적극 대응하며 수익성 확보를 추진한다는 계획이다. 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 도입으로 고용량 DDR5 시장에서의 리더십을 제고한다는 방침이다. 아울러 차세대 HBM3E의 적기 양산, 하반기 12단 전환 가속화 등을 통해 HBM 선도 업체로서의 경쟁력을 강화한다.

팹리스(반도체 설계전문)인 시스템LSI는 AI 모멘텀을 활용해 미래 성장 동력을 확보하고 △시스템온칩(SoC) △이미지센서 △LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 파운드리는 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다.

김 부사장은 "지난해 업황 악화에도 장기적인 경쟁력을 확보하기 위한 투자 규모를 유지하고자 노력해 왔다"며 "그 결과 해당 투자의 영향이 올해부터 본격화됨에 따라 첨단 공정에 대한 공급 경쟁력은 더욱 확대될 것"이라고 내다봤다. 이어 "삼성전자는 첨단 공정 기반의 프리미엄 수요에 적극 대응하며 지속가능한 성장을 위한 수익성 확보를 추진할 계획"이라고 덧붙였다.