차선용 SK하이닉스 부사장 "AI 컴퓨팅 시대, 경계 없는 파트너십 필요"

[아이뉴스24 민혜정 기자] "앞으로 인공지능(AI) 컴퓨팅 시대에 들어서면 데이터는 더욱 증가하고 이를 효율적으로 처리하기 위한 시장의 요구도 커지게 됩니다. 이런 변화에 대응하기 위해서는 다양한 분야의 전문가, 기업, 학계 등과 경계 없는 파트너십이 필요합니다."

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 담당 부사장은 3일 뉴스룸과 인터뷰에서 이같이 강조했다.

차 부사장은 지난해부터 SK하이닉스 미래기술연구원을 맡아 D램과 낸드를 포괄한 더 큰 미래를 그리고 있다. 미래기술연구원은 메모리 플랫폼의 한계를 극복하고, 컴퓨팅 환경 변화에 따른 새로운 기술을 준비하는 일에 중점을 둔 연구 조직이다.

차 부사장은 "외부와 파트너십을 바탕으로 부족한 역량을 강화해야 한다"며 "선제적 기술 협력 강화, 지속가능 경영을 위한 협력 추진 등이 앞으로 경쟁력의 한 축이 될 것"이라고 말했다.

이를 위해 미래기술연구원은 다양한 학회나 포럼을 주최하고, 연구원 산하 RTC(Revolutionary Technology Center) 조직의 공식 웹사이트를 개설해 최신 연구 분야와 성과를 알리는 등 외부와 소통을 강화하고 있다.

차 부사장은 D램 혁신에 족적을 남긴 인물이다. 2019년 8월 당시 최고속 D램인 HBM2E 개발에도 성공했다. HBM2E는 FHD(Full-HD) 영화 163편을 1초 만에 전송하는 수준(최대 460GB/s)의 초고속 메모리로 AI, 딥러닝, 슈퍼컴퓨터 등에 활용된다.

차 부사장은 이 제품을 개발해 회사가 2021년 세계 최초 HBM3를 개발하고, 이듬해 HBM 시장 점유율 50%(트렌드포스 기준)로 업계 1위를 차지하는 등 HBM 기술 리더십을 강화하는 데 큰 역할을 했다.

또 차 부사장은 2020년 10월 세계 최초로 16Gb DDR5 D램을 출시했다. 이 성과를 바탕으로 2021년 12월 24Gb 제품 샘플을 세계 최초로 출하하고, 올해 1월 10나노급 4세대(1a) 서버 제품을 인텔에 최초로 인증하는 등 향후 DDR5 시장을 선점하는 발판을 마련했다.

제품 개발뿐만이 아니다. 차 부사장은 2021년 7월 10나노급 4세대(1a) LPDDR4 양산에 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입해 생산성 및 원가경쟁력 향상에도 기여했다. 반도체 미세화 경쟁이 치열해지고 공정 난이도가 증가하는 상황에서 더 작은 파장의 광원으로 미세 패턴을 구현할 수 있는 EUV 공정은 메모리 업계에 반드시 필요한 기술로 평가받는다.

차 부사장은 지난 4월21일 열린 '2023년 과학·정보통신의 날 기념식'에서 과학기술훈장 혁신장 수훈의 영예도 안았다. 과학기술훈장은 국가 과학기술 발전에 기여한 이에게 수여되는 상으로 혁신장은 그 중 창조장 다음 두 번째로 상격이 높다.

차 부사장의 수훈 업적은 10나노급 D램 테크 플랫폼을 도입해 다음 세대 미세 공정의 기틀을 마련하고, 2019년 당시 최고 속도인 HBM2E를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도한 것이다.

SK하이닉스에서 차 부사장은 10나노급 D램 '테크 플랫폼'을 도입한 주인공이다. 테크 플랫폼은 어느 한 세대 제품에만 적용하는 기술이 아니라 여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀을 뜻한다. 1세대(1x) D램에 처음 적용된 이 플랫폼은 2세대(1y), 3세대(1z), 4세대(1a)를 넘어 그 이후 세대까지 이어지게 되며 SK하이닉스 D램 기술력의 기반이 됐다.

이는 20나노급에서 현재의 10나노급 초미세 D램으로 개발 방식을 완전히 바꾼 혁신인 만큼, 차 부사장이 가장 애정을 쏟았던 프로젝트기도 하다. 그는 이같은 혁신과 성과의 저력으로 '원팀(One-team)의 힘'을 꼽았다.

차 부사장은 "이 모든 것은 어느 누가 혼자 할 수 있는 일이 아니다"라며 "구성원이 자유롭게 아이디어를 낼 수 있는 환경을 만들고, 그 아이디어를 어떻게 접목하고 풀어낼지 고민하고 도전했던 것이 주효했다"고 말했다.