고은정 SK하이닉스 부사장 "올해 목표는 초고층 낸드플래시 개발"

[아이뉴스24 민혜정 기자] "차세대 낸드플래시 공정 개발이 어렵더라도 기존의 개발 경험을 바탕으로 해낼 것입니다."

고은정 SK하이닉스 부사장은 19일 뉴스룸을 통해 공개한 인터뷰에서 이같이 강조했다.

고 부사장은 "공정 미세화가 필요한 D램과 적층 구조를 만들어야 하는 낸드플래시의 공정이 많이 다르지만 양쪽에 대한 개발을 모두 진행하고 있다"고 말했다.

SK하이닉스는 지난해 세계 최고층인 238단 4D 낸드플래시 개발에 성공했는데 올해는 더 고도화된 기술이 적용된 제품을 선보인다는 의지로 풀이된다.

고 부사장은 지난 2005년 SK하이닉스에 입사해 낸드플래시 개발·양산, D램·3D 낸드플래시 개발을 비롯한 주요 프로젝트를 주도해왔다. 이후 연구·개발(R&D) 전략실에서 여러 분야를 넘나들며 주요 제품군 개발 전략 업무를 수행하기도 했다. 올해 신임 임원 인사에서는 유일한 여성으로 이름을 올리며 주목받은 바 있다.

고 부사장은 업황 부진 극복과 기업의 성장에 있어 낸드플래시 개발이 중요하다는 점도 강조했다.

고 부사장은 "반도체 시장의 불황을 극복하고 SK하이닉스가 우위를 점하기 위해서는 낸드플래시 제품의 기술 경쟁력이 꼭 필요하다"며 "기술력과 품질을 갖춘 고부가가치 제품에 대한 원가 경쟁력을 확보해 적시적기에 공급하는 방법을 찾고 있다"고 말했다.

그는 이 같은 목표를 달성하기 위해 내부 구성원들의 협업이 필수적이라는 것도 강조했다.

고 부사장은 "반도체 개발은 어느 한 조직의 노력만으로 얻을 수 있는 것이 아니다"라며 "공정·소자·설계·제품 등 모든 조직의 협업이 있어야 가능하다"고 설명했다.

이어 "차세대 낸드플래시 개발이 쉽진 않겠지만 한 팀이 돼 노력한다면 최고의 품질과 가격 경쟁력을 가지게 될 것"이라고 덧붙였다.