[삼성 美 신규투자] TSMC·인텔과 글로벌 주도권 경쟁 '후끈'

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 미국 내 두 번째 반도체 위탁생산(파운드리) 공장 투자를 확정하면서 세계 파운드리 1위 대만 TSMC를 향한 추격의 고삐를 죈다.

삼성전자는 이번 투자 결정으로 자체 파운드리 경쟁력 제고 외에도 미국과 반도체 동맹을 강화할 수 있을 전망이다. 중국과 패권 경쟁을 벌이는 미국은 자국 내 생산기지 유치에 적극적이다.

24일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2분기 파운드리 시장 점유율은 1위 TSMC가 52.9%로 압도적인 점유율을 기록하고 있는 가운데 삼성전자(17.3%), UMC(7.1%), 글로벌파운드리가 그 뒤를 잇고 있다.

삼성전자는 이번 20조원 투자로 TSMC와 격차를 좁히고, 파운드리 재진출을 선언한 인텔 견제에 나설 예정이다. 삼성전자는 2030년까지 파운드리를 포함한 시스템반도체 1위를 목표로 하고 있으며 이를 위해 171조원을 투자할 계획이다.

물론 삼성만 공격적인 투자를 단행하는 건 아니다. TSMC는 미국 애리조나에 14조원, 인텔은 애리조나와 뉴멕시코에 28조원 규모의 파운드리 공장을 건설할 계획이다.

TSMC도 삼성처럼 자국 중심으로 반도체 공급망을 재편하려는 미국의 정책을 감안해 투자 로드맵을 짜고 있다. 인텔은 미국이 홈그라운드이다. 세 업체가 미국에서 파운드리 주도권을 잡기 위한 혈투를 벌이는 셈이다.

업계 관계자는 "반도체 공급난으로 파운드리 주가가 치솟으면서 업체간 투자 경쟁도 치열해지고 있다"며 "삼성으로선 TSMC를 추격하고 인텔 등을 견재해야 하는 쉽지 않은 싸움이 될 것"이라고 말했다.

이에 따라 삼성전자는 기술 경쟁에서 우위를 확보한다는 전략이다. 내년 상반기에 삼성전자는 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정을 도입한다는 계획이다.

이는 내년 하반기에나 3나노 양산에 나설 것으로 예상되는 TSMC에 비해 빠른 것이다. 반도체는 회로 선폭이 좁을수록 저전력·고효율 칩을 만들 수 있다. 5㎚ 미만 공정은 업계 최고 수준의 기술력으로 삼성전자와 TSMC만 양산 공정을 보유하고 있다.

특히 삼성전자는 업계 최초로 나노시트 구조를 적용한 '게이트올어라운드(GAA)' 기술을 3나노 공정에 활용할 예정이다. 이 기술은 기존 핀펫(FinFET) 기반의 공정에 비해 성능과 전력효율, 설계 유연성 등에서 앞선 것으로 평가받는다

삼성과 TSMC는 계획대로라면 2025년부터 2나노 공정 경쟁도 펼친다. 인텔이 2024년 2나노 공정을 도입한다는 계획을 밝혀 2나노 공정은 3파전이 될 수도 있다.

삼성전자 관계자는 "대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고 GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것"이라며 "코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 가운데, 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나갈 것"이라고 말했다