[삼성 공격경영] 시스템 반도체 1위 도약…3나노 반도체 조기 양산

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성이 3년간 240조원 규모의 투자 계획을 발표한 가운데 반도체 분야에서도 공격 투자를 예고했다.

특히 삼성전자는 반도체 위탁생산(파운드리)을 포함한 시스템 반도체에서 2030년까지 1위를 달성하겠다는 기존 목표 달성을 위해 선제적인 투자를 단행하겠다는 방침이다. 3나노미터 이하 공정을 도입한 반도체 조기 양산 등 초격차 기술 경쟁력 제고도 공언했다.

삼성전자를 비롯한 주요 관계사는 전략사업 주도권 확보를 위해 3년간 240조원을 투자하겠다는 계획을 24일 밝혔다.

삼성은 부문별 구체적인 투자 규모는 밝히지 않았다. 다만 지난 5월 시스템반도체에 2030년까지 171조원 투자 계획을 밝혔듯이 반도체에 공격적인 투자가 예상된다.

삼성전자는 이같은 투자가 생존 전략이라고 설명했다. 반도체 경쟁이 국가간 패권 경쟁이 되면서 대만의 TSMC는 3년간 140조원, 인텔은 파운드리에 20조원 이상을 투자하겠다고 밝힌 상황이다.

삼성 관계자는 "투자 확대를 통해 전략사업 주도권을 확보할 계획"이라며 "과감한 M&A를 통해 기술·시장 리더십 강화에도 나설 방침"이라고 강조했다.

이날 삼성 발표에서 눈에 띄는 부분은 '게이트올어라운드(GAA) 등 신기술 적용 신구조 개발로 3나노미터 이하 조기 양산'이다.

대만 매체들이 TSMC가 삼성보다 빨리 내년 7월 3나노 공정을 세계 최초로 도입한다고 보도하고, 인텔이 2024년 2나노 공정을 도입하겠다고 밝힌 상황에서 삼성이 조기 양산 계획으로 응수한 셈이다.

삼성은 내년에 3나노 공정을 도입하겠다고 했지만 구체적인 양산 시점을 공개하지 않았는데, 향후 TSMC와 치열한 최초 경쟁이 예상된다.

메모리 반도체의 경우 기술은 물론 원가 경쟁력 격차를 다시 확대하고 14나노 이하 D램, 200단 이상 낸드플래시 등 혁신적인 차세대 제품 솔루션 개발에 투자해 리더십을 공고히 할 예정이다.

삼성 관계자는 "시스템반도체 분야에서 경쟁력을 확보함으로써 반도체 산업 전반에서 리더십을 공고히 하겠다"며 "메모리 분야에선 기술 절대우위를 유지하겠다"고 강조했다.